品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS004N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€84A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2V@18µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.29mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD15N15-95-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD15N15-95-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD15N15-95-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD15N15-95-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ024N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€75W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:24A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD15N15-95-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2582
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@25V
连续漏极电流:3.7A€21A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD180N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA96EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ024N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€75W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:24A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: