采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5022pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1812，"17+"：4938，"18+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7107TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3001pF@25V
连续漏极电流：14A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@45A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：667，"22+"：6544}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N12S311ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1674}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N12S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1674}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N12S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5022pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：667，"22+"：6544}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N12S311ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12.1mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5022pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€136W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.3V@74µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
