采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：41，"22+"：399}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
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输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
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输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
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连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
功率：166W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
导通电阻：28mΩ@25A，10V
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：47A
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
导通电阻：20mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
连续漏极电流：8.5A€41A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：70A
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
输入电容：4355pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
导通电阻：20mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
连续漏极电流：8.5A€41A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S312ATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：70A
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@70A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
输入电容：4355pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
