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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~175℃
    连续漏极电流: 19A
    当前匹配商品:200+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M45-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:317pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB21N06LT,118 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB21N06LT,118 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB21N06LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB21N06LT,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB21N06LT,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB21N06LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订4500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订4500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M45-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:317pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19N20-90-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19N20-90-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6416ANLT4G-VF01 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6416ANLT4G-VF01 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M45-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:317pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4050EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2406pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M45-40EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M45-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:317pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y65-100EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y65-100EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y65-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1023pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19N20-90-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19N20-90-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540STRLPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANLT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y65-100E,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y65-100E,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y65-100E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:64W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1523pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:63.3mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19N20-90-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD19N20-90-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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