品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:7.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3915TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4782,"19+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHD71NQ03LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4782,"19+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHD71NQ03LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD105N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD105N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:7.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3915TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3915TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: