首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    包装方式
    行业应用
    工作温度
    功率
    93W
    阈值电压
    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~175℃
    功率: 93W
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订913个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订913个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB66NQ03LT,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB66NQ03LT,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":1100,"18+":7443}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB66NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订913个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订913个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":10982}

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":10982}

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":10982}

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB66NQ03LT,118 起订829个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB66NQ03LT,118 起订829个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":1100,"18+":7443}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB66NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":10982}

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    类型:N沟道

    功率:93W

    栅极电荷:44nC@20V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧