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    包装方式: 卷带(TR)
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    当前匹配商品:2000+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@50V

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@50V

    连续漏极电流:23.3A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150A
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4665pF@50V

    连续漏极电流:16A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86181
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86181

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86181

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4125pF@50V

    连续漏极电流:44A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86068-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86068-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86068-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86140
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86140

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2580pF@50V

    连续漏极电流:11.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@11.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0260N100
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0260N100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0260N100

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9265pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7835pF@50V

    连续漏极电流:24A€162A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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