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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A
关断延迟时间：77.5ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：0.044mJ
开启延迟时间：7ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：18nC
导通损耗：0.062mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A
关断延迟时间：77.5ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：0.044mJ
开启延迟时间：7ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：18nC
导通损耗：0.062mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A
关断延迟时间：77.5ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：0.044mJ
开启延迟时间：7ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：18nC
导通损耗：0.062mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A
关断延迟时间：77.5ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：0.044mJ
开启延迟时间：7ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：18nC
导通损耗：0.062mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A
关断延迟时间：77.5ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：0.044mJ
开启延迟时间：7ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：18nC
导通损耗：0.062mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A
关断延迟时间：77.5ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：0.044mJ
开启延迟时间：7ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：18nC
导通损耗：0.062mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2235
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A
关断延迟时间：77.5ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：0.044mJ
开启延迟时间：7ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：18nC
导通损耗：0.062mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN01N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，1A
关断延迟时间：80ns
反向恢复时间：59.5ns
关断损耗：0.0135mJ
开启延迟时间：5.6ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：9nC
导通损耗：0.0251mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
