品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0855DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0853DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:65W
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6170pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP180N055TUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€348W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:294nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16050pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@90A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP60N04VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@55A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP180N055TUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€348W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:294nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16050pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@90A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0655DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10350pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":9270}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0002DNSTB-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:750mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:102pF@0V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3289}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3353-AZ
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:82A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):N0439N-S19-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€147W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP74N04YUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@37.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6024DPD-00#J2
工作温度:150℃
功率:27.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.5pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP29N06QUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€44W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0349DSP-00#J0
工作温度:150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3100}
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@0V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: