销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT7053TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：0.47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST51，115

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：0.47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：0.47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：0.47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，135

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：25075，"23+"：202000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1