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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    晶体管类型: PNP-预偏压
    行业应用: 工业
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    onsemi 数字晶体管 SMMUN2111LT3G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2111LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":1029990,"05+":184000,"10+":8000,"11+":15550,"12+":55575,"13+":16000,"14+":6850,"15+":8000,"16+":5777,"21+":16000,"22+":104000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8651
    onsemi 数字晶体管 DTA114EET1G
    onsemi 数字晶体管 DTA114EET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":1450,"06+":62000,"9999":260}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 DTA144WM3T5G
    onsemi 数字晶体管 DTA144WM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":85500,"08+":7973,"11+":21000,"15+":19000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11364
    onsemi 数字晶体管 MUN5113T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5113T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"11+":11766,"12+":27000,"13+":74000,"14+":5000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2111LT3G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2111LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"11+":100000,"12+":40000,"14+":40000,"15+":100000,"16+":280000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 NSBA144WF3T5G
    onsemi 数字晶体管 NSBA144WF3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"14+":296000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:254mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7123
    onsemi 数字晶体管 DTA115TET1G
    onsemi 数字晶体管 DTA115TET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"13+":153000,"19+":27000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 DTA123JET1G
    onsemi 数字晶体管 DTA123JET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":25333,"13+":255000,"23+":9000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 DTA144WET1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 DTA144WET1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":3000,"13+":31900,"23+":78000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:19
    onsemi 数字晶体管 MMUN2112LT1
    onsemi 数字晶体管 MMUN2112LT1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":111000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2135LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2135LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"13+":288000,"19+":42000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2133LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"16+":12000,"22+":3000,"23+":48000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN5138T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5138T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"12+":6000,"13+":159000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA114EM3T5G
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA114EM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2114LT1G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2114LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"14+":121722}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MUN5133T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN5133T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi 数字晶体管 DTA123JET1G
    onsemi 数字晶体管 DTA123JET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi 数字晶体管 DTA123JET1
    onsemi 数字晶体管 DTA123JET1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":93000,"05+":9000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8013
    onsemi 数字晶体管 DTA124EM3T5G
    onsemi 数字晶体管 DTA124EM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":72000,"07+":152000,"12+":80000,"16+":104000,"22+":88000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11364
    onsemi 数字晶体管 MUN5136T1
    onsemi 数字晶体管 MUN5136T1

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":6000,"05+":105000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8013
    onsemi 数字晶体管 DTA124EET1G
    onsemi 数字晶体管 DTA124EET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    onsemi 数字晶体管 MUN2115T1G
    onsemi 数字晶体管 MUN2115T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"05+":42500,"09+":332200,"12+":108000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA114EM3T5G
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA114EM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA114EET1G
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA114EET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2135LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"15+":129500}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2114LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2114LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"07+":17960,"19+":15000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

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