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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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阈值电压：2.5V @ 250µA
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类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V @ 250µA
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连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：340mA（Ta）
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：18 pF @ 30 V
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：340mA（Ta）
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：18 pF @ 30 V
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6944，"16+"：30000，"17+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4806NT4G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1.4W（Ta），68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142 pF @ 12 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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栅极电荷：47 nC @ 10 V
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类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
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类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
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输入电容：1700 pF @ 15 V
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类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
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ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6944，"16+"：30000，"17+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4806NT4G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1.4W（Ta），68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142 pF @ 12 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6944，"16+"：30000，"17+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4806NT4G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1.4W（Ta），68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142 pF @ 12 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
