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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    阈值电压: 3V@250μA
    工作温度: -55℃~+150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:100+
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    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.419nF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:210mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.419nF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:210mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.419nF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:210mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.419nF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:210mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.419nF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:210mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    连续漏极电流:6.6A

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    反向传输电容:7.5pF@50V

    栅极电荷:25nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.49nF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:9A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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