品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA446DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@75V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:177mΩ@3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7003P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:66pF@25V
连续漏极电流:340mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1402pF@40V
连续漏极电流:12A€45.1A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1402pF@40V
连续漏极电流:12A€45.1A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6294
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2265pF@50V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP2120FFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:137mA
类型:P沟道
导通电阻:28Ω@150mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6294
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2265pF@50V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66612
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@30V
连续漏极电流:46A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: