品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
输入电容:850pF@10V
栅极电荷:9.6nC@4.5V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:4.7A
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
功率:1.56W
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
功率:1.56W
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:515pF@10V
连续漏极电流:4.1A
功率:1.56W
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02CX RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
输入电容:850pF@10V
栅极电荷:9.6nC@4.5V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:4.7A
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€2.78W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@4V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2953pF@4V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€2.78W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@4V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: