首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    阈值电压: 800mV@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1508pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:775pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250N02DCQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250N02DCQ RFG

    连续漏极电流:5.8A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:775pF@10V

    类型:2N沟道(双)

    功率:620mW

    阈值电压:800mV@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A€6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":16318}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD2104PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@6V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1394
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@4V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDEQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDEQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2953pF@4V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@4V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3662,"09+":15000,"10+":55476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1233
    MCC Mosfet场效应管 SI3139K-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI3139K-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139K-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@16V

    连续漏极电流:660mA

    类型:P沟道

    导通电阻:950mΩ@500mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@4V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD2104PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@6V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1394
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧