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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    阈值电压: 2.3V@250µA
    行业应用: 汽车
    类型: P沟道
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:9.9A€14A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:9.9A€14A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR0202PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR0202PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:9.9A€14A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:21A€36A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:21A€36A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR0202PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
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