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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€39.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG 起订7个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG 起订7个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KDW_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KDW_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KDW_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KDW_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KDW_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KDW_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€39.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€39.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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