采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
类型：2个P沟道（双）
功率：3.5W
输入电容：870pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
类型：2个P沟道（双）
功率：3.5W
输入电容：870pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ7328-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2675pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ7328-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2675pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2623A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2623A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4909DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：27mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2623A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4909DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：27mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2623A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ7328-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2675pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ7328-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2675pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2623A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
