采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：134039}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4929NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：6.6A€34A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻：24mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：11000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4929NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：6.6A€34A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻：24mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻：24mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"12+"：50000，"9999"：8959}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN49EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"12+"：50000，"9999"：8959}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN49EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：11000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4929NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：6.6A€34A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：75000，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：75000，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻：24mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
导通电阻：24mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：134039}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4929NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：6.6A€34A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
