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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 5nC@10V
    行业应用: 工业
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    当前匹配商品:90+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1480DH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1480DH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1480DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:186pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:0.73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    导通电阻:250mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:186pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:186pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2803TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2803TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:250mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2803TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2803TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:250mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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