采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM033NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€107W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4917pF@20V
连续漏极电流：21A€121A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT111N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@100V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@96A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14000，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB107N20NAATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB107N20NAATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：12350，"22+"：865，"23+"：9200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：3.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5980pF@40V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT111N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@100V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@96A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC035N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@20V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB107N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@20V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT111N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@100V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@96A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLE，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5217pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@20V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC035N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB107N20NAATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@20V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLE，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：272W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5217pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@20V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83.3W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4030pF@30V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
