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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2328CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2328CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2328CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2328CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：12nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
输入电容：1250pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：12nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
输入电容：1250pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
