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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：123，"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12614，"23+"：24142}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：123，"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12614，"23+"：24142}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12614，"23+"：24142}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：18A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：23329}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC025N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：74nC@10V
输入电容：2440pF@40V
功率：6.25W€104W
连续漏极电流：60A
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
规格型号(MPN)：FCMT199N60
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
阈值电压：3.5V@250µA
功率：208W
连续漏极电流：20.2A
输入电容：2950pF@100V
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880DP-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：74nC@10V
输入电容：2440pF@40V
功率：6.25W€104W
连续漏极电流：60A
导通电阻：5.9mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
