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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14055，"23+"：1928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14055，"23+"：1928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：77000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB47N10S33ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14055，"23+"：1928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：815}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L09ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@52A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：815}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L09ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@52A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14055，"23+"：1928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：3.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7219pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
栅极电荷：105nC@10V
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
功率：3.2W€88.2W
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：2706pF@15V
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：17A€88.6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
