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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€4.3W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：30A€30A
类型：N-Channel
导通电阻：11.5mΩ
漏源电压：1.2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€4.3W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：30A€30A
类型：N-Channel
导通电阻：11.5mΩ
漏源电压：1.2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€4.3W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：30A€30A
类型：N-Channel
导通电阻：11.5mΩ
漏源电压：1.2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ342DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€4.3W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：30A€30A
类型：N-Channel
导通电阻：11.5mΩ
漏源电压：1.2V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
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功率：3.2W€116W
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栅极电荷：20nC@10V
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类型：N沟道
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栅极电荷：20nC@10V
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类型：N沟道
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：20nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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