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    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3950,"22+":5000,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:673
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:3.5V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@500V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":848,"22+":2375}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8876

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:727
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R120P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R120P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:17.8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:29mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:29mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7341TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7341TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7341TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@25V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:50mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7343TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7343TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7343TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@25V

    连续漏极电流:4.7A€3.4A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:50mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7343TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7343TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7343TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@25V

    连续漏极电流:4.7A€3.4A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:50mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ018NE2LSIATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ018NE2LSIATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":10038,"23+":1464}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:22A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740ASTRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740ASTRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3950,"22+":5000,"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7343TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7343TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7343TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@25V

    连续漏极电流:4.7A€3.4A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:50mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:3.5V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@500V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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