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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
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功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
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功率：1.6W€64W
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栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
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输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
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栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
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功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
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栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
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功率：1.6W€64W
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栅极电荷：46nC@10V
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连续漏极电流：60A
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功率：1.6W€64W
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栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
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栅极电荷：46nC@10V
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连续漏极电流：60A
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
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功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
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功率：2W
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类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
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连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
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连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
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栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
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栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
输入电容：2750pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
连续漏极电流：11A€35A
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：1.6W€64W
连续漏极电流：60A
输入电容：4400pF@15V
栅极电荷：46nC@10V
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.3V@500µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
输入电容：2750pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
连续漏极电流：11A€35A
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
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