采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"23+"：14870，"24+"：3831，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"21+"：2872，"22+"：956，"23+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：118，"23+"：1395}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：14.9A€90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD442G
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€60W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@30V
连续漏极电流：13A€40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：4.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：4.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
