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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 29nC@10V
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N10AL_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@30V

    连续漏极电流:6.3A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N10AL_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@30V

    连续漏极电流:6.3A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:2W€83W

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N10AL_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N10AL_L2_00001

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    功率:2W€83W

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    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N10AL_L2_00001

    功率:2W€83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.3A€42A

    输入电容:1485pF@30V

    导通电阻:25mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

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    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@40V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1620
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":666789}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1832
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC008N08C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:167
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@40V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA421DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA421DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA421DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056ADY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056ADY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@50V

    连续漏极电流:5.9A€8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.2mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056ADY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056ADY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@50V

    连续漏极电流:5.9A€8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.2mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:19.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@40V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@40V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N08NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@40V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC008N08C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD4243
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD4243

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4243

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@20V

    连续漏极电流:6.7A€14A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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