品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2865}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N-Channel
导通电阻:13.9mΩ@31A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD424
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4630pF@10V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2865}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N-Channel
导通电阻:13.9mΩ@31A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB27P06TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3440pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3440pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD424
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4630pF@10V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4064EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2096pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19.8mΩ@6.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3440pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB27P06TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3440pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB27P06TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":250,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3440pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4064EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2096pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19.8mΩ@6.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2865}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N-Channel
导通电阻:13.9mΩ@31A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD424
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4630pF@10V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD424
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4630pF@10V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4064EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2096pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19.8mΩ@6.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD424
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4630pF@10V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1161}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9410L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD424
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4630pF@10V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD424
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4630pF@10V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4064EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2096pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19.8mΩ@6.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: