销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：339mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：16000，"09+"：4000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：357mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：152000，"18+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：408mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：132000，"21+"：32000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：339mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：55000，"21+"：15000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：480mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：631985}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：15 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：140000，"22+"：200000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：12000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：45500}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：15 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：339mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：43990}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：27986}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：52000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：36000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：3032，"20+"：83700}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：16000，"09+"：4000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：357mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1