品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":247125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT4NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:6.9W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5500,"19+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7675-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:99W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":11894,"19+":6400,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7620-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4373pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y53-100B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1467pF@25V
连续漏极电流:24.8A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":156,"20+":13600,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7660-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7240-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2293pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN028-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:89W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1634pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK765R0-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":11894,"19+":6400,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7620-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4373pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R7-100BSEJ
工作温度:175℃
功率:405W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:246nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16370pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.95mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2242,"MI+":720}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN009-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8250pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: