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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订613个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订613个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRLM120ATF 起订1153个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRLM120ATF 起订1153个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1064,"MI+":3788}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLM120ATF

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.7W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15 nC @ 5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.3A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:220 毫欧 @ 1.15A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86106LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86106LZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.2W(Ta)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315 pF @ 50 V

    连续漏极电流:3.2A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.2W(Ta),156W(Tc)

    栅极电荷:111 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    输入电容:7835 pF @ 50 V

    导通电阻:2.95 毫欧 @ 24A,10V

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:24A(Ta),162A(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订30000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订30000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2

    导通电阻:59 毫欧 @ 5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.5W(Ta),20.2W(Tc)

    栅极电荷:5.6 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:3.8V @ 250µA

    类型:N 通道

    输入电容:454 pF @ 50 V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:14.4A(Ta)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2332

    规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300 pF @ 50 V

    连续漏极电流:44A(Tc)

    导通电阻:14.6 毫欧 @ 22A,10V

    阈值电压:2.3V @ 23µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:10 nC @ 4.5 V

    类型:N 通道

    功率:2.5W(Ta),52W(Tc)

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.2W(Ta),156W(Tc)

    栅极电荷:111 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    输入电容:7835 pF @ 50 V

    导通电阻:2.95 毫欧 @ 24A,10V

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:24A(Ta),162A(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10TF 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10TF 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10TF

    连续漏极电流:1.7A(Tc)

    导通电阻:350 毫欧 @ 850mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2W(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5 nC @ 10 V

    输入电容:250 pF @ 25 V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS119NH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS119NH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2222

    规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1

    阈值电压:2.3V @ 13µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:190mA(Ta)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    类型:N 通道

    输入电容:20.9 pF @ 25 V

    导通电阻:6 欧姆 @ 190mA,10V

    栅极电荷:0.6 nC @ 10 V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2331

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    输入电容:1266pF @ 50V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:2 N-通道(双)

    阈值电压:4V @ 250µA

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装清单:商品主体 * 1

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