采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90N10-8M2P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
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功率：170W
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栅极电荷：86nC@10V
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输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
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功率：429W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDB120N10
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输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUM90N10-8M2P-E3
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功率：3.75W€300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@20A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUM90N10-8M2P-E3
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
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栅极电荷：133nC@10V
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输入电容：9760pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
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包装方式：卷带（TR）
功率：429W
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类型：N沟道
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输入电容：9760pF@50V
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
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