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    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20P10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9120TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS115P10M5
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS115P10M5

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS115P10M5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW€41W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@50V

    连续漏极电流:2A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP321PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP321PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP321PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@380µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:319pF@25V

    连续漏极电流:980mA

    类型:P沟道

    导通电阻:900mΩ@980mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP321PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP321PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1000,"24+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP321PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@380µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:319pF@25V

    连续漏极电流:980mA

    类型:P沟道

    导通电阻:900mΩ@980mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:982
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A16KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A16KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:717pF@50V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:235mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR316PH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR316PH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR316PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.8Ω@360mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD8P10TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD8P10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20P10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9110TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9110TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9110TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9110TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD09P10-195-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€32.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:195mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SI01P10-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI01P10-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI01P10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:388pF@40V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD09P10-195-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€32.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:195mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD09P10-195-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€32.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:195mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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