品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:N-Channel
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:N-Channel
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:N-Channel
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:N-Channel
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:N-Channel
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
功率:2W€83W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
类型:N-Channel
连续漏极电流:6.5A€42A
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:25mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:19nC@10V
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
连续漏极电流:6.6A
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
反向传输电容:7.5pF@50V
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.49nF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: