品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF6007
工作温度:-55℃~150℃
功率:230mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@130mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF6007
工作温度:-55℃~150℃
功率:230mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@130mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF6007
工作温度:-55℃~150℃
功率:230mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@130mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF6007
工作温度:-55℃~150℃
功率:230mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@130mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7002N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:510mA
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF6007
工作温度:-55℃~150℃
功率:230mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@130mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7002N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:510mA
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3438-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.95nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF6007
工作温度:-55℃~150℃
功率:230mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@130mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7002N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:510mA
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7002N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:510mA
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@260mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: