采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L035GNTCL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9945
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L035GNTCL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9945
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.5A
类型：N-Channel
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L035GNTCL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9945
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9945
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9945
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.5A
类型：N-Channel
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L035GNTCL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
