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    ECCN
    漏源电压
    60V
    行业应用
    栅极电荷
    连续漏极电流
    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 14nC@10V
    当前匹配商品:70+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1625
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6185SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@30V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D36-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5,5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D36-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5,5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D36-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5,5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D36-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5,5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D36-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D36-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5,5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ROHM Mosfet场效应管 RHP020N06T100
    ROHM Mosfet场效应管 RHP020N06T100

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP020N06T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:200mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1332
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-160T1
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-160T1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":8561}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-160T1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3562
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T 起订6250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T 起订6250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6250
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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