采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
导通电阻：90mΩ@6A，10V
输入电容：500pF@15V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：25W
栅极电荷：9.3nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
导通电阻：90mΩ@6A，10V
输入电容：500pF@15V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：25W
栅极电荷：9.3nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
导通电阻：90mΩ@6A，10V
输入电容：500pF@15V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：4.17W
栅极电荷：9.3nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5406TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1256pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N-Channel
导通电阻：14.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
