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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 12A
    当前匹配商品:100+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG

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    ECCN:EAR99

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    库存:

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    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    库存:

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    ECCN:EAR99

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    库存:

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    库存:

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@30V

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:3.5W

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    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM680P06DPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

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    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    类型:2个P沟道(双)

    功率:3.5W

    输入电容:870pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35.7W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:19.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35.7W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:19.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOD444
    AOS Mosfet场效应管 AOD444

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:20W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOD444
    AOS Mosfet场效应管 AOD444

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:20W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L050GNTB

    工作温度:150℃

    功率:14.8W

    阈值电压:2.5V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7855TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7855TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7855TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N-Channel

    导通电阻:9.4mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L050GNTB

    工作温度:150℃

    功率:14.8W

    阈值电压:2.5V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7855TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7855TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7855TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7855TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7855TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7855TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7855TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7855TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7855TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4064EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4064EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4064EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2096pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.8mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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