品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:68mΩ@6A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
类型:2个P沟道(双)
功率:3.5W
输入电容:870pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06DPQ56 RLG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:68mΩ@6A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
类型:2个P沟道(双)
功率:3.5W
输入电容:870pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N-Channel
导通电阻:19.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N-Channel
导通电阻:19.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD444
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N-Channel
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD444
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N-Channel
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L050GNTB
工作温度:150℃
功率:14.8W
阈值电压:2.5V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N-Channel
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L050GNTB
工作温度:150℃
功率:14.8W
阈值电压:2.5V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4064EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2096pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19.8mΩ@6.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: