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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    类型: N和P沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

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    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

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    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    连续漏极电流:24A€18A

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4612
    AOS Mosfet场效应管 AO4612

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    AOS Mosfet场效应管 AO4612
    AOS Mosfet场效应管 AO4612

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 QH8MC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 QH8MC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8MC5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@30V€850pF@30V

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    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO4612
    AOS Mosfet场效应管 AO4612

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 QH8MC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 QH8MC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8MC5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@30V€850pF@30V

    连续漏极电流:3A€3.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC6A09DN8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC6A09DN8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC6A09DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1407pF@40V€1580pF@40V

    连续漏极电流:3.9A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:45mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 HP8M31TB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 HP8M31TB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HP8M31TB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@30V€2300pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

    连续漏极电流:510mA€340mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AO4612
    AOS Mosfet场效应管 AO4612

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4559 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4559 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4559

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€759pF@25V

    连续漏极电流:4.5A€3.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

    连续漏极电流:510mA€340mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4559 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4559 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4559

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€759pF@25V

    连续漏极电流:4.5A€3.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 HP8M31TB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 HP8M31TB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HP8M31TB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@30V€2300pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO4612
    AOS Mosfet场效应管 AO4612

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8690-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8690-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3,"21+":749}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8690-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@20V€790pF@20V

    连续漏极电流:4.7A€3.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 QH8MC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 QH8MC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8MC5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@30V€850pF@30V

    连续漏极电流:3A€3.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC6A09DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC6A09DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC6A09DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1407pF@40V€1580pF@40V

    连续漏极电流:3.9A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:45mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4559ADY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€3.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V€650pF@15V

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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