品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:4V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:2.8V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8350pF@30V
连续漏极电流:295A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3375pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ099N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS106DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€24W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:9.8A€16A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKXBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:15.2A€52.1A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP25DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW€4.2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@30V
连续漏极电流:720mA
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@720mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS3D7N06HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2383pF@30V
连续漏极电流:16A€103A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3458BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: