品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):1N60L
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):1N60L
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRLPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRLPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):1N60G
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":10497,"16+":68}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N745U1T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:84W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:745mΩ@3.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRLPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1N60ATRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:229pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@840mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):1N60L
工作温度:150℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: