采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：1.2A€2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：224000，"MI+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N-Channel
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS588DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@40V
连续漏极电流：16.9A€58.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N-Channel
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS588DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@40V
连续漏极电流：16.9A€58.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N-Channel
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：1.2A€2.2A
类型：P沟道
导通电阻：270mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS588DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@40V
连续漏极电流：16.9A€58.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7493TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：9.3A
类型：N-Channel
导通电阻：15mΩ@5.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
