首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 3A
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: P沟道
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3413A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3413A

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:745pF@10V

    栅极电荷:11nC@4.5V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:66mΩ@3A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC2523P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC2523P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2523P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ193P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ193P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ193P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1276
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDFS2P753Z
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDFS2P753Z

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDFS2P753Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1025
    AOS Mosfet场效应管 AO3421E
    AOS Mosfet场效应管 AO3421E

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3421E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A16KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A16KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:717pF@50V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:235mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2123L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2123L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2123L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@16V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    MCC Mosfet场效应管 SI2303-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2303-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:226pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3413L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:857pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T
    TI Mosfet场效应管 CSD25304W1015T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25304W1015T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2130L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2130L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@16V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧