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    包装方式: 卷带(TR)
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 17A
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y59-60EX 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y59-60EX 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":180,"23+":48000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y59-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:494pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M53-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M53-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M53-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:683pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:81mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR024NTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR024NTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR024NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR024NTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR024NTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR024NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C08NTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C08NTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1113pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR024NTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR024NTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR024NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR024NTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR024NTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR024NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR024NTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR024NTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR024NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3410TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3410TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3410TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:81mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN069-100YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN069-100YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN069-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:645pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:72.4mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K23-80EX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K23-80EX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K23-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1542pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLR3410TRL 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLR3410TRL 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":145,"23+":4780}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRLR3410TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF530NSTRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF530NSTRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€70W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M53-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M53-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M53-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:683pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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