品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:792pF@15V
功率:1.8W
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:2.4nC@10V
导通电阻:42mΩ@3A,10V
输入电容:765pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:792pF@15V
功率:1.8W
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@4.5V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):06N06L
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:2.4nC@10V
导通电阻:42mΩ@3A,10V
输入电容:765pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK78150-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"12+":6669,"14+":2040,"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6N06T,135
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV25ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:597pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: