采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
栅极电荷：19.5nC@4.5V
输入电容：1670pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
